8.3 KiB
8.3 KiB
Flash 芯片分类
| 特性 | NOR Flash | NAND Flash |
|---|---|---|
| 存储单元结构 | 或非门（NOR）结构，每个单元独立寻址 | 与非门（NAND）结构，单元串联成块共享地址线 |
| 随机读取能力 | ✅ 支持真正的随机读取，可直接按地址访问任意字节 | ❌ 不支持随机读取，只能按 "页" 为单位批量读取 |
| 读取速度 | 随机读极快（纳秒级），连续读中等 | 随机读极慢（微秒级），连续读很快 |
| 擦写速度 | 慢（按 "扇区" 擦除，毫秒级） | 快（按 "块" 擦除，微秒级） |
| 擦写寿命 | 短（1 万～10 万次） | 长（SLC:10 万～100 万次；MLC:3 千～1 万次） |
| 坏块问题 | 几乎无坏块，可靠性极高 | 出厂即有坏块，使用中会产生新坏块，需坏块管理 |
| ECC 纠错 | 不需要 | 必须需要（否则会出现数据错误） |
| XIP（就地执行代码） | ✅ 支持，代码可直接在 Flash 上运行 | ❌ 不支持，必须先加载到 RAM 中运行 |
| 单位容量成本 | 高 | 低（仅为 NOR 的 1/5~1/20） |
| 典型容量 | 几 KB~512MB | 几百 MB~ 几十 TB |
GD9FU2G8F3A
简介
兆易创新并行NAND Flash产品符合ONFI 1.0协议标准。该系列产品涵盖1Gb至8Gb四个容量范围，支持3V和1.8V供电，提供x8及x16 I/O接口选择，封装形式包括主流的TSOP48和BGA63。
凭借兆易创新的技术创新、成熟的设计理念、独立研发能力及严格的质量管控，并行NAND Flash系列为工业、通信及消费电子等领域提供高速、高可靠性且多样化的存储解决方案。 Parallel NAND Flash 官网
- 带 ECC 时 P/E 循环次数：100,000 次
- 数据保留时间：10 年
- ECC 要求：4bit/512 字节
- 硬件写保护 (WP#)、OTP 区域、唯一设备 ID (UID)
- 上电 / 掉电数据保护机制
- 读取电流 (25ns 周期)：15mA
- 编程 / 擦除典型电流：15mA
- 待机电流 (85℃)：最大 50μA
IO 口定义
| 信号名称 | 输入 / 输出 | 功能描述 |
|---|---|---|
| R/B# | O | 就绪 / 忙输出（开漏），低电平表示操作正在进行 |
| RE# | I | 读使能，低电平有效，控制串行数据输出 |
| CE# | I | 片选，低电平选中芯片，高电平进入低功耗待机状态 |
| CLE | I | 命令锁存使能，高电平时在 WE# 上升沿锁存命令 |
| ALE | I | 地址锁存使能，高电平时在 WE# 上升沿锁存地址 |
| WE# | I | 写使能，上升沿锁存数据、命令和地址 |
| WP# | I | 写保护，低电平禁止 Flash 阵列的编程和擦除操作 |
| IO0~IO7 | I/O | 8 位双向数据端口，传输地址、命令和数据；x8/x16 模式均使用 |
| IO8~IO15 | I/O | 16 位模式下的高 8 位数据端口，仅 x16 器件使用，x8 器件对应引脚为 NC |
| VCC | I | 电源输入 |
| VSS | I | 电源地 |
| NC | - | 无内部连接，悬空即可 |
GD9FU2G8F2A 与 GD9FU2G8F3A 核心区别对比
| 参数 | GD9FU2G8F2A | GD9FU2G8F3A |
|---|---|---|
| 页面大小（X8） | 2K + 128 字节 | 2K + 64 字节 |
| 块大小（64 页 / 块） | 128K + 8K 字节 | 128K + 4K 字节 |
| 总备用容量 | 128Mbit | 64Mbit |
| 设备 ID 第 4 字节 | 对应 2K+128B 配置 | 95H（对应 2K+64B 配置） |
| 支持封装 | TSOP48、FBGA63 | TSOP48、FBGA63、FBGA48 |
| 若对备用区需求较小，追求更高的有效存储密度或需要FBGA48 封装，选择GD9FU2G8F3A |
价格
淘宝价格：20
GD5F2GQ5UE SPI NAND Flash 芯片
GD5F2GQ5UE 是兆易创新（GigaDevice）推出的2Gb 容量 SLC SPI NAND Flash，属于 GD5F2GQ5xExxG 系列的 3.3V 电压版本，是一款低引脚数、高性价比的非易失性存储解决方案，专为嵌入式系统设计，可替代传统 SPI NOR 和并行 NAND Flash。
核心基本参数
| 参数项 | 具体规格 |
|---|---|
| 存储容量 | 2Gb（256MB）SLC NAND |
| 工作电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 页大小 | 内部 ECC 开启（默认）：2048 字节 + 64 字节 内部 ECC 关闭：2048 字节 + 128 字节 |
| 块大小 | ECC 开启：128KB+4KB ECC 关闭：128KB+8KB |
| 总块数 | 2048 个块，每个块包含 64 页 |
| 工作温度 | 工业级（I/F）：-40℃ ~ 85℃ 高温工业级（J）：-40℃ ~ 105℃ |
| 接口类型 | 标准 SPI、双线 SPI、四线 SPI、DTR 四 SPI |
常用封装引脚
| 引脚号 | 引脚名 | 功能 |
|---|---|---|
| 1 | CS# | 片选输入，低电平有效 |
| 2 | SO/SIO1 | 串行数据输出 / 双向 I/O1 |
| 3 | WP#/SIO2 | 写保护输入 / 双向 I/O2 |
| 4 | VSS | 地 |
| 5 | SI/SIO0 | 串行数据输入 / 双向 I/O0 |
| 6 | SCLK | 串行时钟输入 |
| 7 | HOLD#/SIO3 | 保持输入 / 双向 I/O3 |
| 8 | VCC | 电源 |
型号与封装
命令规则
GD5F2GQ5UE 系列提供三种封装选项，对应不同后缀：
- WSON8(8*6mm)：GD5F2GQ5UEYIG（工业级）、UEYFG（工业 + 级）、UEYJG（高温工业级）
- TFBGA24 (5*5 球阵列)：GD5F2GQ5UEBIG、UEBFG、UEBJG
- TFBGA24 (4*6 球阵列)：GD5F2GQ5UEZIG、UEZFG、UEZJG
注：工业 + 级（F）经过额外测试流程，可靠性更高；高温工业级（J）支持 - 40℃~105℃工作温度。