修正文档:套件运行造成的容量损失不由 TC-STO-04 恢复,容量基线更新为 95200
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@@ -128,7 +128,7 @@ LVGL 集合明细(均在 SRAM):LVGL 池 40,960B(`lv_mem_core_builtin.o`
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3. 存储套件(`test_config.h` → `TEST_SUITE_STORAGE`):期望 **20/20 PASSED**
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4. GD5F 套件(`TEST_SUITE_GD5F`):期望 **68/68 PASSED**,并确认日志出现 2 条守卫负路径 `[ERR]`(TC-GD5F-704/705)——套件运行须放宽 Forbidden(`--forbidden "FAIL;HardFault"`)
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5. 恢复跑(`ENABLE_STORAGE_RECOVERY_TESTS`):期望 **3/3 PASSED**
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6. 套件**不得**在未做恢复的情况下连续重复运行:TC-STO-03 与 GD5F 套件的大写入都会累积运行期坏块(2026-09-21 实测一次 GD5F 整轮运行容量 95248 → 95200,且阶段 8 会 `nand_ftl_format` 清空卷)
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6. 套件**不得**在未做恢复的情况下连续重复运行:TC-STO-03 与 GD5F 套件的大写入都会累积运行期坏块(2026-09-21 实测一次 GD5F 整轮运行容量 95248 → 95200,且阶段 8 会 `nand_ftl_format` 清空卷)。注意 §7.5 的恢复跑只重建 BBT + 重新格式化,**不恢复容量**(实测恢复后仍 95200,断电重扫亦然——被排除的块会被 dhara 每次扫描重新判定为坏);容量基线以 95200 pages 为准。
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通过全部关卡后:更新 §6 台账、`AGENTS.md` 栈表、`.sct` 头注释,并把本次裁决补入 §5。
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@@ -500,8 +500,12 @@ ECC 状态(`ECCS1:ECCS0`):`00`=无错;`01/10/11`=纠正 1/2/3 bit;`10`
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> 整轮 GD5F 套件(含 Phase 8/9)运行后卷数据即失效,且大写入可能使 dhara 把若干块记为
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> 运行期坏块(2026-09-21 实测:一次整轮运行容量 95248 → 95200,日志见
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> `[ERR][NAND_FTL] program verify: data mismatch, blk 305`,该块由 dhara 自行隔离,测试仍 68/68 通过)。
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> 需要恢复干净态时,启用 `ENABLE_STORAGE_RECOVERY_TESTS` 跑一次 STORAGE 套件的 TC-STO-04
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> (重建 BBT + 重新格式化)。
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> 需要恢复**卷/BBT 干净态**时,启用 `ENABLE_STORAGE_RECOVERY_TESTS` 跑一次 STORAGE 套件的
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> TC-STO-04(重建 BBT + 重新格式化)。
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> **注意:TC-STO-04 不恢复容量**——2026-09-21 实测恢复后容量仍为 95200,且断电重扫、
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> BBT 重建、dhara 重新格式化后都保持 95200(dhara 每次扫描都会再次排除该块)。
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> 即被排除的块是**真实运行期坏块**,不应擦除复用(NAND 惯例:程序校验失败的块永久弃用);
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> 当前容量基线以 **95200 pages(185 MB)** 为准。
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## 9. 阶段 8:FTL 层(nand_ftl)
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