diff --git a/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.c b/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.c
index 32a734cc..5517b65b 100644
--- a/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.c
+++ b/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.c
@@ -157,15 +157,12 @@ static int sd2506_write_disable(void) {
 /*
  * 函数功能：初始化 SD2506API-G RTC
  * 入口参数：无
- * 返回值：0-成功，2-I2C 错误                                                          int
+ * 返回值：0-成功，-1-校验失败，-2-I2C 错误                                          int
  * 限定条件：CubeMX 已完成 I2C1 初始化（PB6-SCL, PB7-SDA）
  * 函数说明：1. 读取芯片 ID 验证通信
- *           2. 上电重置充电寄存器 (0x18=0x82)
- *           3. 配置 24 小时制、开自动复位
- * 限定条件：CubeMX 已完成I2C1 初始化
- * 函数说明：读取芯片 ID 验证通信
- *           2. 上电重置充电寄存器18H=82H
- *           3. 配置 24 小时制、开自动复位
+ *           2. 充电寄存器 18H 回读校验（出厂 82H 非易失），值漂移时经写允许
+ *              窗口重置并回读验证（手册 §4.8：强烈建议每次上电重置 18H）
+ *           3. 上电即写禁止态（WRTC 全 0），无需再写 0FH
  */
 int sd2506_init(void) {
     int ret = 0;
@@ -177,22 +174,48 @@ int sd2506_init(void) {
         return ret;
     }
 
-    /* 上电重置充电寄存器 18H = 82H (开启充电 5K电阻)
-     * 手册强烈建议每次上电时重置此寄存器 */
-    ret = sd2506_write_reg(SD2506_REG_CHARGE, 0x82U);
+    /* 充电寄存器 18H：手册 §4.8"出厂均配置成 82H"（非易失），
+     * 先回读校验，正常路径（=82H）不再写；仅值漂移（长时掉电等）时
+     * 经写允许窗口重置并回读验证（手册强烈建议每次上电重置 18H）
+     * 0x82 = EN_Charge(Bit7) | Charge1(Bit1)：开启充电，5K 电阻 */
+    uint8_t charge_val = 0;
+
+    ret = sd2506_read_reg(SD2506_REG_CHARGE, &charge_val);
     if (ret != SD2506_OK) {
         return ret;
     }
 
-    /* 配置: 24小时制，写允许状态下 0FH 的 WRTC 位必须为 1
-     * 0FH = 0x20 (bit5=ARST=1, 其它标志位清零)
-     * 注意: 写入时需注意 0FH 的 WRTC 位必须为 1
-     * 此处直接写入 0x20 即可 (ARST=1, 的 WRTC 位) */
-    ret = sd2506_write_reg(SD2506_REG_CTR1, SD2506_CTR1_WRITE_OFF);
-    if (ret != SD2506_OK) {
-        return ret;
+    if (charge_val != SD2506_CHARGE_INIT_VALUE) {
+        int ret_read = 0;
+
+        ret = sd2506_write_enable();
+        if (ret != SD2506_OK) {
+            return ret;
+        }
+
+        ret = sd2506_write_reg(SD2506_REG_CHARGE, SD2506_CHARGE_INIT_VALUE);
+        if (ret != SD2506_OK) {
+            (void)sd2506_write_disable();
+            return ret;
+        }
+
+        ret_read = sd2506_read_reg(SD2506_REG_CHARGE, &charge_val);
+        ret = sd2506_write_disable();
+        if (ret != SD2506_OK) {
+            return ret;
+        }
+
+        if (ret_read != SD2506_OK || charge_val != SD2506_CHARGE_INIT_VALUE) {
+            return SD2506_ERROR;
+        }
     }
 
+    /* 上电后芯片即处于写禁止态：WRTC1/2/3 全 0（手册 L119 复位值），
+     * CTR1(0FH)/CTR2(10H) 均为复位值 00H，无需再写 0FH 上锁（写禁止态
+     * 写 0FH 的普通位会被芯片忽略，原 0x7B 写为无效操作）；0x7B 是手册
+     * L396 的写禁止过渡建议值，仅在写允许窗口内的收尾写有意义。
+     * 注意：ARST 位位于 CTR3(11H) D7，与 0FH 无关（原注释误注）。 */
+
     return SD2506_OK;
 }
 
diff --git a/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.h b/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.h
index 502cf331..3807fa36 100644
--- a/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.h
+++ b/Drivers/BSP/SD2506/sd2506.h
@@ -113,16 +113,24 @@ extern "C" {
 
 /* ======================== 充电配置 ======================== */
 
-/* 充电寄存器 (18H) 建议上电写入值: 0x82 (开启充电, 断开) */
-#define SD2506_CHARGE_EN            (1U << 7)   /* 充电允许位 */
-#define SD2506_CHARGE_2K            (0U << 0)   /* 2K电阻 */
-#define SD2506_CHARGE_5K            (1U << 0)   /* 5K电阻 */
+/* 充电寄存器 (18H) 位定义（手册 §4.8）：
+ * Bit7=EN_Charge（充电允许，复位 0=禁止）；
+ * Bit1=Charge1、Bit0=Charge0：00=2K / 01=10K / 10=5K / 11=断开（复位态） */
+
+#define SD2506_CHARGE_EN            (1U << 7)   /* EN_Charge: 充电允许 (Bit7) */
+#define SD2506_CHARGE_2K            (0U)        /* 2K 电阻: Charge1=0, Charge0=0 */
+#define SD2506_CHARGE_10K           (1U << 0)   /* 10K 电阻: Charge1=0, Charge0=1 */
+#define SD2506_CHARGE_5K            (1U << 1)   /* 5K 电阻: Charge1=1, Charge0=0 */
+#define SD2506_CHARGE_DISCON        (0x03U)     /* 断开: Charge1=1, Charge0=1（复位态） */
+#define SD2506_CHARGE_INIT_VALUE    (0x82U)     /* 上电目标值: EN_Charge|5K = 出厂 82H */
 
 /* ======================== 写保护配置 ======================== */
 
-/* 写允许时 0FH 寄存器建议值: 0xFF (WRTC1=1, WRTC2=1, WRTC3=1) */
+/* 写允许窗口内写 0FH 的建议值: 0xFF（手册 L396：WRTC 位只能保持 1，
+ * 0FH 其余位均为标志位） */
 #define SD2506_CTR1_WRITE_ON        0xFFU
-/* 写禁止时 0FH 寄存器建议值: 0x7B (WRTC1=0, WRTC2=0, WRTC3=0, ARST=1) */
+/* 写禁止过渡时 0FH 的建议值: 0x7B（WRTC2/WRTC3=0、标志位 1；WRTC1 在
+ * CTR2 需另行清除；ARST 在 CTR3 与本寄存器无关） */
 #define SD2506_CTR1_WRITE_OFF       0x7BU
 
 /* ======================== 返回值定义 ======================== */
@@ -162,11 +170,12 @@ typedef struct {
 /*
  * 函数功能：初始化 SD2506API-G RTC
  * 入口参数：无
- * 返回值：0 - 成功，-2 - I2C 通信错误
+ * 返回值：0 - 成功，-1 - 校验失败，-2 - I2C 通信错误
  * 限定条件：CubeMX 已完成 I2C1 初始化
  * 函数说明：1. 读取芯片 ID 验证通信
- *           2. 上电重置充电寄存器 18H=82H
- *           3. 配置 24 小时制、开自动复位
+ *           2. 充电寄存器 18H 回读校验（出厂 82H 非易失），值漂移时经写允许
+ *              窗口重置并回读验证
+ *           3. 上电即写禁止态（WRTC 全 0），无需再写 0FH
  */
 int sd2506_init(void);
 
diff --git a/docs/硬件平台/V0.0_网表详细分析报告.md b/docs/硬件平台/V0.0_网表详细分析报告.md
index 35a0259d..757bd8a5 100644
--- a/docs/硬件平台/V0.0_网表详细分析报告.md
+++ b/docs/硬件平台/V0.0_网表详细分析报告.md
@@ -277,7 +277,7 @@ flowchart LR
 
 - 器件为 **SD2506API 模块**（非裸片）：内置 32.768k 晶振 + **内置充电电池 + 充电电路**（手册 L11：电池满充常温下掉电走时约 8 个月，电池寿命 5~8 年；自动电源切换：VDD<2.4V 且 VDD<VBAT 时自动转电池供电，PMF 位指示电源模式）。
 - **封装与引脚编号（已核实，设计正确）**：实物封装 6 个引脚，但编号**不按 1~6 顺序**——模块只引出手册脚号 **1/4/5/6/7/8**（表 1：1=TEST, 4=GND, 5=SDA, 6=SCL, 7=INT, 8=VDD；pin2/3 未引出）。网表接 4/5/6/8 = GND/SDA/SCL/VDD ✓，1（TEST，手册要求悬空）与 7（INT，未用）悬空 ✓，与手册完全一致。
-- **掉电走时（已核实，无缺陷）**：后备电源为模块内置充电电池（无外接 VBAT 脚），不存在"无后备电池"问题；代码每次上电写 18H=0x82 使能内置充电（手册 L390 要求），并开机读电池电压寄存器 1AH/1BH 输出 battery: 标记（sd2506.c L180-182 / L327-335），与手册完全一致。
+- **掉电走时（已核实，无缺陷）**：后备电源为模块内置充电电池（无外接 VBAT 脚），不存在"无后备电池"问题；18H 充电寄存器非易失（手册 §4.8：出厂均配置 82H = EN_Charge+5K 电阻），长时掉电可能改值——代码每次上电**回读校验 18H**（=0x82 不写；≠0x82 经写允许窗口重置为 0x82 并回读验证，2026-09-21 修复 E-32，`sd2506_init()`），满足手册 L390 每次上电重置 18H 的要求；开机另读电池电压寄存器 1AH/1BH 输出 battery: 标记（`sd2506_get_battery_voltage()`），与手册一致。
 
 #### U19 = GD5F2GQ5UE（WSON-8，SPI NAND）