refactor(UI): U2 合并运行/自检记录两页为共享组件 ui_w_records

ui_page_runlog.c 与 ui_page_selftest.c 各 102 行，逐行比对后差异全是命名：
唯一的功能变量是日志 ID（SYSLOG_RUN / SYSLOG_SELFTEST），计数、每记录 2 行、
同记录读盘缓存、空态伪行的实现两边逐字相同。是真重复，不是推测出的抽象。

## 落地
新建 Drivers/BSP/UI/ui_w_records.{c,h}（已在 uvprojx + CMakeLists 双端注册；
生成器只自动管 ui_page_*.c，故这两处手工加）。两页各留一个实例与两个薄跳板，
.count_cb/.refresh 名字不变 => 注册表与生成器零改动。
净效果：两页 90 删 / 28 增（−62 行），重复逻辑收成一份。

## 合并唯一的真陷阱：缓存归属
count_cb/refresh 签名里没有 user context，最容易写的版本是把
s_cache_valid / s_last_rec / s_ts / s_desc 留成组件级静态——那样两页共用一份
缓存，从 A 页切到 B 页会因记录号相同而直接命中缓存，显示另一页的陈旧行，
是静默错数据而非崩溃。故缓存内嵌进实例（ui_w_records_t），每页各一份。

## 验证
@build 0 错 0 警；golden 经真实 ui-golden 钩子跑通：菜单 8 状态 + 内容页
11 页（含这两页）逐字节一致，未用 --update 刷基线 => 语义搬迁行为等价有证。
ER_IROM1 232,052 → 231,936 B（−116 B）。RW_IRAM1 75,232 → 75,240 B（+8 B），
原因如实记录：原先 4 个文件级静态零初始化落 ZI，现在 s_rec 带 .id 初值整个
结构体落 .data(RW)，两页合计净 +8 B；要压回 0 需把 .id 留零再加 init 钩子，
为 8 字节引入运行时初始化顺序不值得，故保留并把账写在此处。
stack_report FAIL 行数 0（间接层未顶破栈预算）；mem-budget / mem-numbers 已
按 @build 后规定回填台账。

## 过程中的两处自我失误（已修复，记录以免重犯）
① 用 stem[:2] 生成函数前缀，对 selftest 得到 se_ 而非 st_，锚点失配。
② 撤销脚本里 ${UI_DIR} 被 PowerShell here-string 插值吞掉，导致"边校验边写"
   把树留在引用组件但未注册的链接错误态。教训：回滚脚本必须比正向脚本更保守，
   全部校验通过后才允许写盘。

docs/内存管理/RAM使用分析与优化方案.md

@@ -36,10 +36,10 @@
 <!-- MEM_SNAPSHOT:BEGIN generated by scripts/check_mem_numbers.py -->
 | 区域 | 用量 | 容量 | 占比 |
 |---|---|---|---|
-| ER_IROM1 | 232,052 B (226.61 KB) | 1,048,576 B (1024 KB) | 22.1% |
-| RW_IRAM1 | 75,232 B (73.47 KB) | 131,072 B (128 KB) | 57.4% |
+| ER_IROM1 | 231,936 B (226.50 KB) | 1,048,576 B (1024 KB) | 22.1% |
+| RW_IRAM1 | 75,240 B (73.48 KB) | 131,072 B (128 KB) | 57.4% |
 | RW_CCM | 57,376 B (56.03 KB) | 65,280 B (64 KB) | 87.9% |
-| **Flash (ROM 合计)** | **233,192 B (227.7 KB)** | 1,048,576 B (1024 KB) | **22.2%** |
+| **Flash (ROM 合计)** | **233,120 B (227.7 KB)** | 1,048,576 B (1024 KB) | **22.2%** |
 <!-- MEM_SNAPSHOT:END -->
 
 各区的容量与常量来源：

docs/内存管理/RAM预算台账.md

@@ -15,16 +15,16 @@
 <!-- MEM_BUDGET:BEGIN generated by scripts/ram_baseline.py -->
 | 区域 | 用量 | 容量 | 占比 | 门禁（≤92%） |
 |---|---|---|---|---|
-| ER_IROM1 (Flash) | 232,052 B | 1,048,576 B | 22.1% | 参考 |
+| ER_IROM1 (Flash) | 231,936 B | 1,048,576 B | 22.1% | 参考 |
 | RW_CCM | 57,376 B | 65,280 B | 87.9% | PASS |
 | UNINIT_CCM | 48 B | 256 B | 18.8% | 参考 |
-| RW_IRAM1 | 75,232 B | 131,072 B | 57.4% | PASS |
+| RW_IRAM1 | 75,240 B | 131,072 B | 57.4% | PASS |
 
 | 子系统（静态 RW+ZI；除 RTOS 堆在 CCM 外均在 SRAM1） | 现值 | 配额 | 状态 |
 |---|---|---|---|
 | 网络 | 13,690 B | 12 KB | ⚠ 超 1.4 KB |
 | 存储 | 7,056 B | 12 KB | OK |
-| UI | 30,416 B | 16 KB | ⚠ 超 13.7 KB |
+| UI | 30,422 B | 16 KB | ⚠ 超 13.7 KB |
 | RTOS 堆 | 57,376 B | 56 KB | 堆=配额 |
 | 应用 | 14,911 B | 8 KB | ⚠ 超 6.6 KB |
 | 其它 | 9,184 B | — | 参考 |