fix(storage): dhara 移植层 is_free 整页精度 + HAL 越界守卫；日志读写批量化

登记簿 N-21（报告 N-12/N-13）与 N-24（报告 N-16）两项未闭环问题修复并销项。

N-12：dhara_nand_is_free() 旧实现只读页首 64 B 判全 0xFF，会把"页首
0xFF、后段有数据"的已编程页误判空闲，dhara 遂往已编程页再编程 = 位碰撞、
journal/map 指向垃圾且不报任何错。改整页扫描（栈上 64 B 分块、页首命中即
早退，故"已编程且页首有数据"的绝大多数页成本与旧实现同价）。

N-13：报告原建议经核对不成立——本仓裁剪版 dhara 既无 DHARA_NO_PAGE（哨兵
实为 DHARA_PAGE_NONE，journal.h:46）也无 DHARA_E_UNSUPPORTED（error.h 枚举
里没有，照抄直接编译失败），且 map.c 三处 dhara_journal_copy 调用点各自已
挡掉哨兵。真风险是移植层零上界校验：越界页号被芯片地址位截断成某个真实页
→ 静默读写错页。改为六个 HAL 入口统一几何上界守卫 + DHARA_E_CORRUPT_MAP。
错误码选择是刻意的：BAD_BLOCK 会让 journal.c:904 标坏无辜好块，RECOVER 会
让 map.c:275 启动回收；无错误通道的 is_free/is_bad/mark_bad 一律取保守值。

N-16 写侧：一次排空合并成"每文件一次 open/write/close"（≤8 条 = 512 B
静态缓冲）。掉电语义不变——批次仍在同一次 drain 调用内 close，而 close
回写目录项这个不同 LPN 会把 FTL 单页写回缓存逼出到 NAND；失败尾部回投
队列，条目不丢（旧实现 -2 卷忙会直接丢掉那一条）。容量轮转仍只在按条慢
路径做，批量路径发现装不下一批就返回 -3 退回。
N-16 读侧：s_read_raw() 加 8 条滑动读窗口 + 写者代数失效，API 与 UI 零改动。

验证：@build 0 错 0 警（Code 213,540 / ER_IROM1 232,280 B = 22.2%，
RW_IRAM1 75,232 B = 57.4%，ZI +1,640 B 全为静态缓冲、不吃任务栈）；
@test PASS，且台架 journal 恢复点与修复前同轨——连续四次启动 sectors used
恒 14,094、Map head 每轮 +128 单调推进、epoch 稳定 3 → 整页 is_free 未
改变恢复语义、无双编程、无回退；stack_report 9 个任务全 PASS（defaultTask
静态最坏链 3,024 B / 余 40%，实测峰值 2,164 B / 余 57%）。

新增主机侧移植层单测 test/host/nand_port/（第 16 个 -unit-test 钩子）：
RAM 假芯片 + 真实 dhara map/journal 源，149 断言，含"旧算法只看页首 64 B"
对照用例（将来有人把 is_free 改回去会立刻红）与 dhara 级 resume 双编程计数
为 0 的场景。L0.5 由 15 runner / 955 断言 → 16 runner / 1,104 断言。

文档：存储架构说明 §5.3 加移植层两条硬约束；运行与自检记录设计说明
§4.4/§4.5 写批量化与读窗口；GD5F Trap Records 新增 Trap 07（含三条遗留
代价与一条待办编译期断言）；登记簿 N-21/N-24 删行销项并同步 README
§1/§2.0/§2.1、排期详述 C3、报告 §0.1/§0.2/§0.4/§4.x/§7 与去处表；
钩子计数 33→34、主机侧单测 15→16 全库同步。

docs/内存管理/RAM使用分析与优化方案.md

@@ -36,10 +36,10 @@
 <!-- MEM_SNAPSHOT:BEGIN generated by scripts/check_mem_numbers.py -->
 | 区域 | 用量 | 容量 | 占比 |
 |---|---|---|---|
-| ER_IROM1 | 231,084 B (225.67 KB) | 1,048,576 B (1024 KB) | 22.0% |
-| RW_IRAM1 | 73,568 B (71.84 KB) | 131,072 B (128 KB) | 56.1% |
+| ER_IROM1 | 232,280 B (226.84 KB) | 1,048,576 B (1024 KB) | 22.2% |
+| RW_IRAM1 | 75,232 B (73.47 KB) | 131,072 B (128 KB) | 57.4% |
 | RW_CCM | 57,376 B (56.03 KB) | 65,280 B (64 KB) | 87.9% |
-| **Flash (ROM 合计)** | **232,196 B (226.8 KB)** | 1,048,576 B (1024 KB) | **22.1%** |
+| **Flash (ROM 合计)** | **233,416 B (227.9 KB)** | 1,048,576 B (1024 KB) | **22.3%** |
 <!-- MEM_SNAPSHOT:END -->
 
 各区的容量与常量来源：