feat(屏板): USART1 700 kbaud + 收中断传输层 sb_link（1-2/1-3）

批 1 的 1-2 / 1-3：把屏板（DTU-LCD）发来的 6 B 帧 A 在 USART1 上稳定收下来。

1-2 波特率：.ioc 不保存任何 UART 的波特率（只有
USART1.IPParameters=VirtualMode），GUI 里改也不落盘，所以只能在
Src/usart.c 的 USER CODE BEGIN USART1_Init 2 区覆盖 huart1.Init.BaudRate
后重调一次 HAL_UART_Init（第二次调用时 gState 已非 RESET，HAL 只重算
BRR、不再跑 MspInit，GPIO/DMA/NVIC 不会被重配）。开机日志实测
BRR=0x0078，与理论值 84 MHz/(16x700 kHz)=7.5 逐位相符，误差 0%。

1-3 收中断：新建 Drivers/BSP/ScreenLink/sb_link.c/h——16 B 缓冲 + IDLE
中断断帧、帧 A 校验、错误中断里按 RM0090 清 ORE/NE/FE/PE、周期统计上报。
HAL_UARTEx_RxEventCallback / HAL_UART_ErrorCallback 是全局单例（唯一实现
在 rs485.c），故只在那里各加一行转发，按句柄过滤放在 sb_link 内。

台架实测（PC + USB 转 TTL 顶替屏板，COM6@700000）撞出两个真问题：
- 错误回调里无条件重挂 -> 出现 err=160 / rearm=160 同步增长，看着像每帧
  都重挂失败。真因是 HAL 把 NE/FE/PE 归为非阻塞型（接收照跑、RxState 仍是
  BUSY_RX），此时 ReceiveToIdle_IT 只会返回 HAL_BUSY。改为仅当
  RxState == HAL_UART_STATE_READY（ORE 那类阻塞型）时才重挂。
- 日志字面量里带中文 -> ARMCC #870-D invalid multibyte character
  sequence。字面量一律纯 ASCII，中文只写注释。

验证：主机单测 81/81 PASSED（test/host/sb_link/，其中按 RM0090 的清除语义
把"必须 SR->DR 顺序才清得掉 ORE"钉成断言）；Keil 0 错误 0 警告；台架
rx == 发送帧数、ok == rx、crc=0、len=0、size=6、keys 随按键帧递增；先用
错波特率灌 64 B 垃圾（len=31、bits=0x06）后自动恢复且 rearm=0。
新增 test/host/screenlink_bench.py 作为可复跑的屏板激励（--key / --glitch-baud）。

docs/内存管理/RAM使用分析与优化方案.md

@@ -47,10 +47,10 @@ dhara 失败类 +84；RO 另 +208，全是该失败类名表）→ `ER_IROM1`
 <!-- MEM_SNAPSHOT:BEGIN generated by scripts/check_mem_numbers.py -->
 | 区域 | 用量 | 容量 | 占比 |
 |---|---|---|---|
-| ER_IROM1 | 264,584 B (258.38 KB) | 1,048,576 B (1024 KB) | 25.2% |
-| RW_IRAM1 | 81,536 B (79.62 KB) | 131,072 B (128 KB) | 62.2% |
+| ER_IROM1 | 266,360 B (260.12 KB) | 1,048,576 B (1024 KB) | 25.4% |
+| RW_IRAM1 | 81,616 B (79.70 KB) | 131,072 B (128 KB) | 62.3% |
 | RW_CCM | 57,376 B (56.03 KB) | 65,280 B (64 KB) | 87.9% |
-| **Flash (ROM 合计)** | **266,460 B (260.2 KB)** | 1,048,576 B (1024 KB) | **25.4%** |
+| **Flash (ROM 合计)** | **268,260 B (262.0 KB)** | 1,048,576 B (1024 KB) | **25.6%** |
 <!-- MEM_SNAPSHOT:END -->
 
 各区的容量与常量来源：

docs/内存管理/RAM预算台账.md

@@ -15,10 +15,10 @@
 <!-- MEM_BUDGET:BEGIN generated by scripts/ram_baseline.py -->
 | 区域 | 用量 | 容量 | 占比 | 门禁（≤92%） |
 |---|---|---|---|---|
-| ER_IROM1 (Flash) | 264,584 B | 1,048,576 B | 25.2% | 参考 |
+| ER_IROM1 (Flash) | 266,360 B | 1,048,576 B | 25.4% | 参考 |
 | RW_CCM | 57,376 B | 65,280 B | 87.9% | PASS |
 | UNINIT_CCM | 48 B | 256 B | 18.8% | 参考 |
-| RW_IRAM1 | 81,536 B | 131,072 B | 62.2% | PASS |
+| RW_IRAM1 | 81,616 B | 131,072 B | 62.3% | PASS |
 
 | 子系统（静态 RW+ZI；除 RTOS 堆在 CCM 外均在 SRAM1） | 现值 | 配额 | 状态 |
 |---|---|---|---|
@@ -27,7 +27,7 @@
 | UI | 34,656 B | 16 KB | ⚠ 超 17.8 KB |
 | RTOS 堆 | 57,376 B | 56 KB | 堆=配额 |
 | 应用 | 15,552 B | 8 KB | ⚠ 超 7.2 KB |
-| 其它 | 10,553 B | — | 参考 |
+| 其它 | 10,633 B | — | 参考 |
 <!-- MEM_BUDGET:END -->
 
 - **门禁**：pre-commit `mem-budget` 钩子（`scripts/ram_baseline.py --gate`）——