@@ -53,27 +53,40 @@ ECC 状态（`ECCS1:ECCS0`）：`00`=无错；`01/10/11`=纠正 1/2/3 bit；
所有测试套件（CH395F / 存储 / GD5F）统一收归 `ch395fTestTask` 线程（`test/ch395f_test_task.c`
的 `StartCh395fTestTask` ），通过 `test/test_config.h` 中的 `TEST_SUITE_*` 宏在**编译期**选择要跑的套件。
选中 `TEST_SUITE_GD5F` 时，`test_config.h` 会自动 `#define ENABLE_GD5F_TESTS` 及全部
`ENABLE_GD5F_PHASE*_TESTS` `gd5f_test_run()` （ `test/gd5f_test_task.c` ）按阶段串行执行。
选中 `TEST_SUITE_GD5F` 时，`test_config.h` 会自动 `#define ENABLE_GD5F_TESTS` 及**只读阶段**宏
（ ） `gd5f_test_run()` （ `test/gd5f_test_task.c` ）按阶段串行执行。
> `defaultTask` **不再承担任何测试**（仅空闲）；所有测试都只在 `ch395fTestTask` 中运行。
> **破坏性用例开关（2026-09-21 新增，默认关闭）**：
> 控制所有**会改变设备持久状态**的用例——写/擦 NAND、`nand_ftl_format`、FatFS 建文件写文件、
> 向 BBT 持久化坏块标记（永久减少可用容量）。关闭时为**只读模式**，可随时在在用设备上跑；
> 打开后才编译并运行 PHASE3~9，以及 PHASE2 的 TC-206/207、PHASE10 的 TC-1003/1004。
> 依据：2026-09-21 实测一轮破坏性 GD5F 运行即消耗一个块（容量 95248 → 95200，
> 故破坏性用例只在**产品首次上电/产线首启**或明确需要时开启。
`test/test_config.h` 配置示例（三选一，互斥，多选触发 `#error` ）：
``` c
// #define TEST_SUITE_CH395F
// #define TEST_SUITE_STORAGE
# define TEST_SUITE_GD5F /* 选中后自动开启 gd5f 全部 阶段宏 */
# define TEST_SUITE_GD5F /* 选中后自带 gd5f 只读 阶段宏 */
// #define ENABLE_DESTRUCTIVE_TESTS /* 需写/擦/格式化/落盘坏块时才打开（默认关闭） */
```
执行顺序（由 `gd5f_test_run()` 按阶段串行，与函数依赖一致）：
`init/read_id/reset` → `BBT` → `页读写` → `块擦除` → `ECC` → `SPI 原语` → `DMA 边界` → `FTL` → `FatFS` → `边界条件` 。
- **只读（默认）**： `init/read_id/reset` → `BBT（读取与 RAM 内标记）` → `DMA 守卫读方向（TC-704） → `边界条件（越界 / size=0）
- **破坏性（开关打开时插入其间）**：`页读写` → `块擦除` → `ECC` → `SPI 原语` → `DMA 边界（701~703、705） → `FTL（含 format） → `FatFS`
开机横幅会明确打印本次模式：`mode: READ-ONLY (...)` 或 `mode: DESTRUCTIVE (...)` 。
> `defaultTask` **不再承担任何测试**（仅空闲）；所有测试都只在 `ch395fTestTask` 中运行。
### 启用测试
1. 在 `test/test_config.h` 取消注释所需的 `TEST_SUITE_*` 宏（如 `TEST_SUITE_GD5F` ） ；
1. 在 `test/test_config.h` 取消注释所需的 `TEST_SUITE_*` 宏（如 `TEST_SUITE_GD5F` ） ，
需要写/擦类用例时再打开 `ENABLE_DESTRUCTIVE_TESTS` ；
2. 编译（`@build` ）确认 0 错误 0 警告；
3. 烧录后串口观察 `[NAND-TEST]` 日志与各 TC 的 `PASS/FAIL` ，结尾打印
3. 烧录后串口观察 `mode: ...` 横幅、 ` [NAND-TEST]``PASS/FAIL` ，结尾打印
`=== GD5F2GQ5UE Tests: X/Y PASSED ===` ；
4. 不选任何 `TEST_SUITE_*` 时为正常产品构建（`ch395fTestTask` 空闲，不跑测试）。
@@ -468,13 +481,13 @@ ECC 状态（`ECCS1:ECCS0`）：`00`=无错；`01/10/11`=纠正 1/2/3 bit；
| **通过标准 ** | 数据一致 |
| **覆盖原则 ** | DMA 大数据路径 |
### TC-GD5F-704: DMA 可达性守卫负路径（读方向）
### TC-GD5F-704: DMA 可达性守卫负路径（读方向，只读，两种模式都跑 ）
| 字段 | 值 |
|------|-----|
| **ID ** | TC-GD5F-704 |
| **优先级 ** | P0 |
| **类型 ** | 边界/健壮性测试 |
| **类型 ** | 边界/健壮性测试（ `ENABLE_DESTRUCTIVE_TESTS` 门控） |
| **标题 ** | 目的缓冲位于 CCM（不可达区）时守卫应拒绝 DMA 并回落轮询，数据仍正确 |
| **前置条件 ** | FreeRTOS 堆驻留 CCM（ `RW_CCM` ）；探针缓冲由 `pvPortMalloc(2048)` 取得（堆不在 CCM 时用例跳过） |
| **测试步骤 ** | 1. 先用 SRAM 静态缓冲参考读同页<br>2. 探针缓冲预填参考值的反码<br>3. `gd5f2gq5ue_read()` 整页读入 CCM 探针缓冲<br>4. 与参考缓冲逐字节比对 |
@@ -496,7 +509,8 @@ ECC 状态（`ECCS1:ECCS0`）：`00`=无错；`01/10/11`=纠正 1/2/3 bit；
| **判定依据 ** | 同 TC-GD5F-704（写方向 DMA 读 CCM 同样不落地） |
| **覆盖原则 ** | DMA 可达性守卫（写方向）；堆缓冲禁入 DMA 的运行时强制（内存分配策略 R3） |
> ⚠ **卷破坏警告**：阶段 8 会调用 `nand_ftl_format()` 清空 dhara map，阶段 9 会写入文件——
> ⚠ **卷破坏警告（仅 `ENABLE_DESTRUCTIVE_TESTS` 打开时） **：阶段 8 会调用 `nand_ftl_format()`
> 清空 dhara map，阶段 9 会写入文件——
> 整轮 GD5F 套件（含 Phase 8/9）运行后卷数据即失效，且大写入可能使 dhara 把若干块记为
> 运行期坏块（2026-09-21 实测：一次整轮运行容量 95248 → 95200，日志见
> `[ERR][NAND_FTL] program verify: data mismatch, blk 305`，该块由 dhara 自行隔离，测试仍 68/68 通过）。
@@ -732,7 +746,17 @@ ECC 状态（`ECCS1:ECCS0`）：`00`=无错；`01/10/11`=纠正 1/2/3 bit；
| TC-STO-03 | 坏块注入下存储写入 | P1 | PASS |
| TC-STO-04 | BBT 重建 + 重新格式化（恢复） | P1 | 受 `ENABLE_STORAGE_RECOVERY_TESTS` 控制（默认关） |
> 当前实测： （ （
> 当前实测（ ，
> 只读模式 `=== GD5F2GQ5UE Tests: 16/16 PASSED (failed=0) ===`（
> 卷内容与容量均不变）；破坏性模式 `=== GD5F2GQ5UE Tests: 68/68 PASSED (failed=0) ===`（全部阶段）。
> `TEST_SUITE_STORAGE` 只读模式实测 `=== Storage Tests: 3/3 PASSED (failed=0) ===`（ ，
> 卷内容与容量不变）；破坏性模式为全量集成用例（2026-09-20 实测 **20/20 PASSED**，含 TC-STO-01/02/03/05/06）。
> 各套件在两种模式下均 0 错误 0 警告通过 MDK 编译。
>
> **破坏性用例清单**（仅在 `ENABLE_DESTRUCTIVE_TESTS` 打开时编译运行）：
> GD5F：
> （
> 性能压测（TC-STO-05 为只读，始终运行）；RTC：TC-RTC-002（写时间，跑完复原）、014（写 SRAM）、015（写报警）。
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