From c7c01259825ad54991d01be18bc0eac1cfaca300 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Wanderingss <1624155937@qq.com> Date: Fri, 6 Nov 2026 17:43:55 +0800 Subject: [PATCH] =?UTF-8?q?docs:=20=E5=A2=9E=E5=8A=A0=E7=A1=AC=E4=BB=B6?= =?UTF-8?q?=E5=B9=B3=E5=8F=B0=E5=85=B3=E9=94=AE=E5=85=83=E5=99=A8=E4=BB=B6?= =?UTF-8?q?=E7=AC=94=E8=AE=B0=EF=BC=88=E5=8E=8B=E6=95=8F=E7=94=B5=E9=98=BB?= =?UTF-8?q?=2010D102K=EF=BC=89?= MIME-Version: 1.0 Content-Type: text/plain; charset=UTF-8 Content-Transfer-Encoding: 8bit docs/硬件平台/关键元器件.md:记 10D102K 氧化锌压敏电阻的工作 原理(正常高阻、瞬态击穿钳位、浪涌后恢复)与典型应用场景, 供选型与防护设计查阅。 --- docs/硬件平台/关键元器件.md | 13 +++++++++++++ 1 file changed, 13 insertions(+) create mode 100644 docs/硬件平台/关键元器件.md diff --git a/docs/硬件平台/关键元器件.md b/docs/硬件平台/关键元器件.md new file mode 100644 index 00000000..aca89a19 --- /dev/null +++ b/docs/硬件平台/关键元器件.md @@ -0,0 +1,13 @@ +## 10D102K,氧化锌压敏电阻(MOV,Metal Oxide Varistor) +![image.png](https://lsky.bitnasdaq.vip/Y2XuuZ.png) +### 工作原理 +主体是氧化锌陶瓷,内部大量 ZnO 晶粒 + 晶界势垒,是双向非线性半导体: +- ✅ **正常电压(<900 V)**:兆欧级高阻,近似开路,漏电流 μA 级别,几乎不耗电 +- ✅ **瞬态过压(≥1000 V)**:晶界击穿,阻抗急剧下降,大电流泄放,钳位电压限制后端 +- ✅ **浪涌过后**:恢复高阻(只要没有超过能量 / 电流极限、不热击穿) +### 典型应用场景 +- 高压电源输入防雷、共模浪涌吸收 +- 工业逆变器、高压驱动、高压 LED 驱动 +- 高压母线、充电桩辅助电源、高压测试设备 +- 与气体放电管 GDT、TVS 搭配做分级防雷 +- 电网感应雷、开关操作过电压抑制