存储栈RAM优化P0-1：BBT缓冲按实际载荷272B收紧，编程回读校验整体移除（向业界靠拢），新增存储栈RAM优化调研报告

Drivers/BSP/GD5F2GQ5UE/gd5f2gq5ue.c

@@ -35,7 +35,7 @@ static uint32_t s_usable_blocks = GD5F_TOTAL_BLOCKS;  /* dhara 可见块数（=
 static uint32_t s_bbt_write_slot = 0;            /* 下一写入槽（轮转指针） */
 static uint32_t s_bbt_version = 0;               /* 当前持久化 BBT 版本号 */
 static uint8_t  s_bbt_slot_dead = 0;             /* 池块损坏位掩码 */
-static uint8_t  s_bbt_page_buf[GD5F_PAGE_SIZE];  /* BBT 读写页缓冲（静态，避免占栈） */
+static uint8_t  s_bbt_page_buf[GD5F_BBT_HDR_SIZE + GD5F_BBT_SIZE];  /* BBT 读写缓冲（静态，避免占栈）：实际载荷仅 16B 头+256B 位图，按实际传输长度声明（2026-09-21 由整页 2048 收紧，省 1776B） */
 static uint8_t  s_bbt_best[GD5F_BBT_SIZE];       /* 最高版本位图缓存 */
 static const uint8_t s_bbt_magic[4] = { 'G', 'B', 'B', 'T' };  /* BBT 存储魔数 "GBBT" */
 
@@ -230,7 +230,7 @@ static void gd5f_page_read_issue(uint32_t page_addr) {
  *           台架实证（2026-09-20，VDD 3.1V 欠压工况）：① 就绪信号可早于
  *           array→buffer 整页装载完成 → 0Bh 读到"前段新、后段旧"混合页；
  *           ② 13h 命令在编程/擦除风暴后可不被芯片锁存（空操作）→ 0Bh
- *           读到上一操作残留 buffer（编程数据）→ in-boot 回读校验/文件
+ *           读到上一操作残留 buffer（编程数据）→ 后续文件/BBT/journal
  *           读取全部"虚假成功"，阵列实际未更新 → 复位后数据丢失。
  *           二次发令覆盖②（重发必被锁存），固定沉降覆盖①（整页装载完成）。
  */

Drivers/BSP/GD5F2GQ5UE/nand_ftl.c

@@ -131,38 +131,10 @@ int dhara_nand_prog(const struct dhara_nand *n, dhara_page_t p, const uint8_t *d
         return -1;
     }
 
-    /* 编程回读校验（硬化措施，2026-09-20）：拦截"状态寄存器报成功但
-     * cell 未可靠 latch"的静默编程失败——此类页若流入 journal，复位后
-     * resume 会因 ECC/魔数门整体拒收 checkpoint，造成新写入丢失。
-     * 回读比对+ECC 检查，失败即标记坏块交由 dhara 迁移（宁可丢块）。
-     * 注：本校验曾被认为是重格式化循环根因（低电压假设），后经验证
-     * 该假设证伪——循环真根因是 FatFs 探针名非法（见 freertos.c 探针
-     * 注释与 Trap Records）；本校验作为数据完整性硬化长期保留。 */
-    if (gd5f_page_read(phy_pg) != GD5F_OK) {
-        dhara_nand_mark_bad(n, p >> n->log2_ppb);
-        dhara_set_error(err, DHARA_E_ECC);
-        DBG_ERROR("program verify: readback fail, blk %lu",
-                  (unsigned long)(p >> n->log2_ppb));
-        return -1;
-    }
-
-    if (gd5f_check_ecc() != GD5F_OK) {
-        dhara_nand_mark_bad(n, p >> n->log2_ppb);
-        dhara_set_error(err, DHARA_E_ECC);
-        DBG_ERROR("program verify: ecc uncorrectable, blk %lu",
-                  (unsigned long)(p >> n->log2_ppb));
-        return -1;
-    }
-
-    gd5f_read_from_cache(0, s_copy_buf, FTL_PAGE_SIZE);
-    if (memcmp(s_copy_buf, data, FTL_PAGE_SIZE) != 0) {
-        dhara_nand_mark_bad(n, p >> n->log2_ppb);
-        dhara_set_error(err, DHARA_E_BAD_BLOCK);
-        DBG_ERROR("program verify: data mismatch, blk %lu",
-                  (unsigned long)(p >> n->log2_ppb));
-        return -1;
-    }
-
+    /* 编程正确性以 P_FAIL 状态位（gd5f_program_exec 内检查）+ 读时 ECC +
+     * journal 读时门（magic/CRC）为准；数据路径不做整页回读比对——
+     * 2026-09-20 曾加回读校验（GD5F_PROG_VERIFY），2026-09-21 经评估整体
+     * 移除（依据见 docs/内存管理/存储栈RAM优化调研.md 与 GD5F Trap Records Trap 05） */
     return 0;
 }