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STM32F4-Base/App/log
wandering1 ffd462ef3c feat(保护标定): 卡5 未标定闭锁 + 卡6 下游三常数重定 + 卡7 量纲回归单测
卡 5(protect_task.c 第⑤闭锁源,「数据可信」§4.3 决策 1=闭锁):
- UA/UN/IA 的 adc_cal VALID 未全置位 → prot_elm_init + 本拍不 eval;每拍现查
  flags、无自有状态(卡 12 标定写入后自动解锁);判据链优先级 = 采样可信在前、
  标定可用在后(数据都是旧的谈不上标定)
- 边沿日志用 DBG_INFO 而非 [ERR]:未标定是出厂常态、非故障,且 @test 禁用
  [ERR](「默认构建保护不动作 = 期望」的台架判据同步项已在 MR 报 lead);
  SOE 分型 SOE_T_CAL_BLOCK/RESUME(soe_rec.h 枚举尾追加,值 6/7——reader 侧
  显示标签映射归道B reader,MR 已报)
- 台架旁路 = 编译期宏 DTU_BENCH(§4.3:不进 cfg 不进 104;本仓所有提交目标
  都不定义它 = 产品恒强制闭锁)

卡 6(下游三常数按工程量重定,依据同源 docs/任务规划/数据可信.md §2.3):
- FREQ_AMP_MIN(freq.h):语义从拟定码值域重定为二次值 V——50 V = 0.5×Un
  (标称 100 V),断保险/PT 空载/浮空必低于之;数值沿用 50.0f 属巧合并在
  注释明写;eng=0 过渡期本门恒失效 → OF/UF 按必不启动填充,与卡 5 同向安全
- k_yc[].deadband(iec104_pts.c):9 点按「额定 0.5 %」规则重定:电压类
  0.5 %×100 V=0.5、电流类 0.5 %×1 A=0.005、频率维持 0.5 Hz 绝对值(非额定
  比,卡 10 运行参数化);标称基准与 prot_set 头部同源,防两处真相
- g_prot_set_meta[](prot_set.c):数值/范围复核结论=不动(0~4×标称自洽),
  文件头补量纲口径块:A/V = 二次值、标称 100 V/1 A、OV120=1.2Un/UV20=.2Un/
  3U0 15=.15Un、OC1/2/3=10/5/2×Ir、OL=1.0×Ir;PS_ID_COUNT/blob VER 未动
- iec104 套件 TC-008 死区用例同步重定标(100.4 带内 / 101.25 越带),97/97

卡 7(test/host/prot_dim 新套件,真实链 adc_cal→ring→phasor→prot_elm):
- 用例从 ADC 码值出发、显式写出 code↔二次值互逆换算(dim_code vs apply),
  折算点被旁路或量纲再错位断言立刻翻转(M4 判据⑥「不该动作时不动作」)
- 合成 ROM 覆写(#undef K_Q16 宏)模拟卡 12 标定后板级口径,走 adc_cal_set
  正规路径置 VALID;b=-30 码全链对消进 rms 断言
- 38/38:基线静默(含 OL 低定值陷阱)、反错配对照(raw 码值灌环复现历史事故
  必假动作 vs 经折算必静默)、OC1/2/3+OL+OV+UV+3U0 七类逐一:越限定值→
  受控启动拍→dly-2 不动作/+5 动作→返回系数带内保持→跌破释放、双件聚合位图
  独立性(撤 IA 只回 OC1)

测试与注册:prot-dim-unit-test 钩子 + TC-HOST-PROTDIM 族(游标 010,B 层口径
同 ADCHEALTH/ADCCAL 先例);无新 MCU 源文件(uvprojx/SIM_EXEMPT 零改动)

gate:@build 0 错 0 警(Code=215640 RO=21388 RW=1220 ZI=131980 vs 基线
215440/19780/1220/131980 → Flash +1808 B、RAM 零增量);protectTask 静态最坏
链 872 B/margin 1176 B(57%)PASS,adcTask 不变;staged 门禁除 mem-numbers/
mem-budget(台账漂移,回填归 lead)外全绿:
gate: only mem-budget/mem-numbers pending lead ledger backfill
BOM/CR/U+FFFD/字面量 ASCII 已逐文件自查(本轮未触碰带 BOM 文件)
2026-10-25 05:22:17 +08:00
..

App/log/ — 日志子系统

两类日志:持久化运行日志(sys_log,落 NAND)与控制台日志(console_log,走串口)。 两者都遵循单写者模型,避免多任务交错输出。

文件一览

文件 作用
sys_log.h 日志接口(平台无关):定长 64B 记录写入 /log/run.log·selftest.log
sys_log_mcu.c sys_log 的 MCU 端后端实现(NAND + FatFs)
console_log.c/h 控制台单写者日志:多任务日志经队列汇入唯一写者,避免串口输出交错
soe_rec.c/h SOE 记录纯编解码(B9):64B 定长记录(CP56Time2a 时标 + 类型 + 元件号 + 单调序号 + 值 + sum8 撕裂校验),零 I/O 零 OS 依赖,主机单测覆盖
soe_store.c/h SOE 落盘胶水(B9):/log/soe.log,protectTask 投递(零文件系统)→ defaultTask 排空落盘

关键机制

syslog(运行/自检记录)

  • 唯一写者 = defaultTask;其它任务只投递,不直接写盘
  • 单记录定长 64 B,循环写;待机页可显示记录
  • 内核启动前的日志走无锁静态缓冲 s_preboot[8] 暂存(因为内核启动前不能建队列), 内核启动后由 syslog_drain 惰性创建真队列并排空
  • ⚠️ 写盘必须校验 f_write 返回的字节数(该 FatFs 移植在簇分配失败时返回 FR_OK + 短写, 不报错误码);追加写必须 FA_WRITE|FA_OPEN_APPEND(FA_OPEN_APPEND 单独用不含写位)

console_log(控制台单写者)

  • 多任务的生产者 → 单写者消费者,消除任务间日志行交错
  • 设计详见 docs/子系统设计/控制台单写者日志设计说明.md

soe(SOE 事件顺序记录,B9)

  • 记录 = 64 B 定长二进制(soe_rec.h 布局),落 /log/soe.log; 与 run.log 分文件——run.log 是文本记录、有 UI/主机读取方,二进制 SOE 混入会破坏读取器;分文件保持"定长 64B + 条数=fsize/64 + 满删重建 + FTP 下载 + 主机解码"同一套先例
  • 生产者 = protectTask(元件动作/返回、软压板投退、采样闭锁/恢复六类 边沿):soe_store_post() 纯 RAM(取时标 + 组记录 + 队列/待发环), 零 NAND I/O;⚠️ post 内禁 DBG_*——会把 protectTask 静态最坏链 垫高一帧(实证 872→1192 B FAIL),丢弃留痕由 drain(defaultTask)差值上报
  • 唯一写者 = defaultTask:挂 syslog_drain() 尾部(继承其卷就绪门), 50 ms 节拍 → SOE 落盘延迟 ≤50 ms;写盘纪律全套照 syslog(卷锁 try / FA_WRITE|FA_OPEN_APPEND / 校验字节数 / 满删重建 / 失败留痕去重), 绝不把名字/参数类错误码归入卷损坏触发集
  • 时标口径:sys_clock 秒域时基 → CP56 ms 域 = 秒×1000(亚秒恒 0, 不造假);墙钟未建 → IV 位如实置位;seq 仅上电生命周期内单调 (容量重建不重置,仅复位重置——主机解码按 boot 段分段断言)
  • 主机侧:test/host/soe/decode_soe.py 解码 + 断言(校验和/seq 单调/ CP56↔epoch UTC 交叉);⚠️ 交叉校验用 calendar.timegm,不是本地时区的 dt.timestamp()(+08 机差 28800 s,首跑实证坑)

相关文档

  • docs/子系统设计/控制台单写者日志设计说明.md
  • docs/子系统设计/运行与自检记录设计说明.md
  • FatFs 陷阱:AGENTS.md「平台约束」