1fe163ba7b
- prot_set:新增 PS_GLOBAL_EN(枚举尾追加);值区双缓冲 + 单字交换, prot_set_set_sealed 原子写+封存;selfcheck 改 seqlock 式复核 (提交撞见 = 本轮跳过)→ 收口 B5 登记的 µs 级误锁窗口 - 持久化:新增 App/cfg/prot_set_store.c/h,/prot_set.bin blob (magic+版本+计数+值区+sum32 正/反码对,144 B)走 cfg_store_write_atomic; uvprojx 注册 + 模拟器豁免点名(check_registration 同步) - 写路径:C_SE/YK12 执行段置脏 → iec104Task 投递 SYS_EVT_PROT_SET_SAVE (事件位 bit7)→ defaultTask(配置引擎属主)落盘,写失败脏回置 = 天然 重试;装载 = STORAGE_READY 屏障前整表原子 parse(损坏保出厂默认 + 自检留痕 prot set corrupt;文件缺失 = 首启静默) - YK12 转真:两段式(选择段校验 DPC / 执行段 set_sealed),protectTask 下一拍读退出态 → 复位元件 + 停判据(global plate OUT/IN 边沿日志); 本地定值项 comm_addr=0 显式不可寻址(防 IOA=0 误命中首个本地项) - 单测:prot_set 63 断言(+33:软压板/原子写/脏握手/blob 往返/损坏拒绝/ 伪造自洽越界对抗样本)、iec104 94 断言(+7:YK12 两段转真/置脏/本地项 C_RD EVI) - 文档:IEC104 设计说明 §3.3/§3.4/§7、保护规划 §3.5 L5-1/§7 P4/变更记录、 App/algo 与 App/cfg README、W1 任务卡 B7→🟦(台架腿 🔴 待窗口,随 B6 同窗) - 验证:@build 0 错 0 警(Code=205500,ZI +280 = 双缓冲+blob 缓冲); ci_local 全绿(L0 27 钩子 + L0.5 13 套件 826 断言);ram_baseline 台账 受管区与内存快照已同步;19 个改动文件无 BOM / LF / 零乱码
162 lines
8.1 KiB
C
162 lines
8.1 KiB
C
/*
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* 模块名称:保护定值模型(P1,L5-1 载体)
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* 模块功能:保护定值的 RAM 模型——编号 / 通讯地址 / 范围 / 默认值 / 校验和自检,
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* 以及 B7 定值持久化的**纯逻辑层**(blob 序列化/解析 + 原子装载)。
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* 文件读写胶水在 App/cfg/prot_set_store.c(MCU 端)。
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*
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* 设计口径(docs/算法/继电保护功能复现规划.md §5):
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* - 定点存储:Q10(×1024),与参考系统定点系数 2^10 一致(§5.3);
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* - 通讯地址:与参考 g_tCommSetParaTab(Comm/Pub/Const_CommSetPara.c)逐项对齐,
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* 基址 0x8820(=34848);告警类沿用运行参数段 0x8027/0x8029;
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* - 校验和(L5-1):sum32 正码 + 反码成对封存(参考 tagPRS 的
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* dwTagSum/dwTagSumN 模式),selfcheck 失配 → 置闭锁;
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* - ⚠ 默认值/范围为**拟定值**:参考 EEPROM 出厂默认表未在本仓库,
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* 待对照后逐项修订(规划 §10.3 待补项);范围先按 DTU 馈线典型量级。
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*
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* 线程约定(B7 定):装载(init/store_parse)在 defaultTask(存储 bring-up,
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* STORAGE_READY 前);单项写在 iec104Task(C_SE/YK12,经 set_sealed 原子路径);
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* 落盘在 defaultTask(配置引擎属主)。读在保护消费者任务(快照值原子)。
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* 双缓冲交换 = 单字写,读侧永远看到一致快照;写者之间靠启动时序串行
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* (装载先于 NET_READY,104 写在其后)。
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*
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* 创建日期:2026-10-11
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*/
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#ifndef PROT_SET_H
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#define PROT_SET_H
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#include <stdint.h>
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/* Q10 定点:工程量 × 1024(与参考 2^10 口径一致) */
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#define PROT_SET_Q10(v) ((int32_t)(((double)(v)) * 1024.0))
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#define PROT_SET_FROM_Q10(v) ((float)((double)(v) / 1024.0))
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/* 定值项编号(枚举序 = RAM 数组序 = 校验和覆盖序,只增不删不改序) */
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typedef enum {
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/* --- 三段式相间过流(A 相,L3-1):投退/跳闸投退/电流/延时 --- */
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PS_OC1_EN = 0, /* 0x8856 Ⅰ段投退 */
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PS_OC1_TRIP, /* 0x8857 Ⅰ段跳闸投退(0 告警 / 1 跳闸) */
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PS_OC1_CUR, /* 0x8858 Ⅰ段电流定值(A,二次值) */
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PS_OC1_DLY, /* 0x8859 Ⅰ段延时(ms) */
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PS_OC2_EN, /* 0x885A */
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PS_OC2_TRIP, /* 0x885B */
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PS_OC2_CUR, /* 0x885C */
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PS_OC2_DLY, /* 0x885D */
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PS_OC3_EN, /* 0x885E */
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PS_OC3_TRIP, /* 0x885F */
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PS_OC3_CUR, /* 0x8860 */
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PS_OC3_DLY, /* 0x8861 */
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/* --- 过负荷(A 相,L3-3) --- */
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PS_OL_EN, /* 0x8871 */
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PS_OL_TRIP, /* 0x8872 */
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PS_OL_CUR, /* 0x8873 */
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PS_OL_DLY, /* 0x8874 */
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/* --- 过压 / 欠压(UA,L3-4;沿用参考告警段 0x8029/0x8027) --- */
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PS_OV_EN, /* 本地投退(参考告警类无独立投退,V0.1 补) */
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PS_OV_VOL, /* 0x8029 过电压门限(V,二次值) */
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PS_OV_DLY, /* 0x802A 过电压延时(ms) */
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PS_UV_EN, /* 本地投退 */
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PS_UV_VOL, /* 0x8027 低电压门限(V,二次值) */
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PS_UV_DLY, /* 0x8028 低电压延时(ms) */
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/* --- 零序过压(UN,L3-6) --- */
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PS_3U0_EN, /* 0x888E */
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PS_3U0_VOL, /* 0x888F 3U0 定值(V,二次值) */
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PS_3U0_DLY, /* 0x8890 延时(ms) */
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/* --- 公共 --- */
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PS_RET_OVER, /* 过量返回系数(返回门槛 = 定值 × 系数,<1) */
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PS_RET_UNDER, /* 欠量返回系数(返回门槛 = 定值 × 系数,>1) */
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PS_PT_PRI, /* 0x8820 PT 一次额定(V) */
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PS_PT_SEC, /* 0x8821 PT 二次额定(V) */
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PS_CT_PRI, /* 0x8825 CT 一次额定(A) */
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PS_CT_SEC, /* 0x8826 CT 二次额定(A) */
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/* --- 全局软压板(B7):104 YK12 两段式投退;0 = 保护退出服务 --- */
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PS_GLOBAL_EN, /* 本地项(无通讯地址,经 YK12 写、C_RD 不可读) */
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PS_ID_COUNT
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} prot_set_id_t;
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/* 定值项元数据(ROM 常量表,校验和自检不覆盖它——只覆盖 RAM 值区) */
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typedef struct {
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uint16_t comm_addr; /* 通讯信息体地址(0 = 本地项,不上送) */
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uint8_t is_ctl; /* 1 = 投退/枚举项(0/1),0 = 模拟量项 */
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int32_t def; /* 默认值(Q10;投退项为 0/1 的 Q10) */
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int32_t min; /* 下限(Q10) */
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int32_t max; /* 上限(Q10) */
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} prot_set_meta_t;
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extern const prot_set_meta_t g_prot_set_meta[PS_ID_COUNT];
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/*
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* 函数功能:装载出厂默认值并封存校验和(幂等,内核启动前可调)
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*/
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void prot_set_init(void);
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/*
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* 函数功能:整表装载外部值(P4 起由 cfg_file 定值段调用),逐项范围校验
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* 入口参数:vals - PS_ID_COUNT 个 Q10 值
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* 返 回 值:0 全部合法(已装载并封存)/ -1 存在越界项(**整表不装载**,
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* 返回前可经 prot_set_bad_mask() 取越界位图)
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*/
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int prot_set_load_raw(const int32_t *vals);
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/* 越界位图(bit i = 第 i 项越界;load_raw 失败后有效) */
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uint32_t prot_set_bad_mask(void);
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/*
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* 函数功能:单项写入(范围校验;**不自动重封校验和**——批量改完必须
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* 显式 prot_set_seal(),否则 selfcheck 判"定值被非法改写")
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* 返 回 值:0 / -1 越界拒写
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*/
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int prot_set_set(prot_set_id_t id, int32_t q10);
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int32_t prot_set_get(prot_set_id_t id); /* Q10 原值 */
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float prot_set_get_f(prot_set_id_t id); /* 工程量浮点 */
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uint8_t prot_set_get_ctl(prot_set_id_t id); /* 投退项:!=0 视为投入 */
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/* 校验和(L5-1):sum32 覆盖 RAM 值区;seal 封存正/反码对 */
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uint32_t prot_set_checksum(void);
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void prot_set_seal(void);
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/* 自检:重算并与封存值比对,失配 → 置闭锁并返回 -1(已闭锁也返回 -1) */
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int prot_set_selfcheck(void);
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uint8_t prot_set_locked(void);
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/*
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* 函数功能:单项**原子**写入+封存(B7,收口 B5 竞态窗口)
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* 入口参数:id - 定值项编号;q10 - Q10 定点值
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* 返 回 值:0 / -1 越界或非法编号拒写(原值不动)
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* 函数说明:影子缓冲拷贝 → 改影子 → 重封校验和 → 单字交换活跃区。
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* selfcheck 永远看到"值区与封存一致"的完整快照,不存在
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* "已改值未封存"中间态(区别于 prot_set_set+seal 的批处理路径,
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* 两条路径不得在一次批处理中途交错)。置脏标志(待持久化)。
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*/
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int prot_set_set_sealed(prot_set_id_t id, int32_t q10);
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/* 脏标志(存在未落盘的定值改动):set_sealed 置位;load/init 不置 */
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uint8_t prot_set_dirty_peek(void); /* 非消费(生产者用它通知属主任务) */
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uint8_t prot_set_dirty_take(void); /* 消费(属主任务落盘前取) */
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void prot_set_dirty_mark(void); /* 写盘失败回置(等下轮重试) */
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/* ---------------- 持久化 blob(B7;纯逻辑,主机可单测) ----------------
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* 格式(小端):magic 'PSET'(4B) + version u16 + count u16
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* + values u32×count + sum32 u32 + ~sum32 u32
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* 版本 1;count 必须等于 PS_ID_COUNT(定值表增项 → 旧 blob 整体作废,
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* 编号不回收但格式换代,宁可用出厂默认也不半装载)。 */
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#define PROT_SET_BLOB_MAGIC 0x50534554uL /* 字节序 P,S,E,T */
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#define PROT_SET_BLOB_VER 1u
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#define PROT_SET_BLOB_HDR_SZ 8u /* magic(4)+ver(2)+cnt(2) */
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#define PROT_SET_BLOB_SZ (PROT_SET_BLOB_HDR_SZ + 4u * (uint32_t)PS_ID_COUNT + 8u)
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/*
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* 函数功能:把当前值区序列化为 blob(校验和按值区现算,不依赖封存值)
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* 返 回 值:0 / -1 缓冲不足或参数非法;*p_len 输出实际长度
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*/
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int prot_set_store_serialize(uint8_t *p_buf, uint32_t cap, uint32_t *p_len);
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/*
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* 函数功能:解析 blob 并**整表原子**装载(all-or-nothing)
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* 入口参数:p_buf/len - blob 字节流
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* 返 回 值:0 已装载并封存 / -1 拒绝(magic/版本/长度/校验对不符或
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* 任一项越界 → 值区一字不动;越界项经 prot_set_bad_mask() 指认)
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*/
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int prot_set_store_parse(const uint8_t *p_buf, uint32_t len);
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#endif /* PROT_SET_H */
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