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道F 批 2 / task-16。FTL 单页写回缓存（nand_ftl.c s_cache_dirty）与 dhara journal 只在换页/整页写/f_close 时刷出，漏网脏页的掉电驻留窗无上限。本 提交以最小面收口：不碰 GD5F/dhara 驱动，全部走既有 FatFs CTRL_SYNC 路径。 实现 App/fs/vol_idle_sync.[ch]（新增，仅 MCU 端，uvprojx App 组注册）： - 四级门：STORAGE_READY 就绪门 → 5 s 节流（无符号差回绕安全判据）→ vol_lock_wait(0) try（锁被持有=文件序列在做，跳过，不改 STOR 持有期 语义）→ disk_ioctl(0, CTRL_SYNC)； - clean 态脏标志+journal 双短路、零 NAND 触点；脏态最坏 = 一次 f_close 的同步段同型成本，不引入新磨损来源； - 失败按边沿 latch 一条 DBG_ERROR、成功重新武装；失败路径也成对放锁； - TEST_SUITE_STORAGE 构建整体 no-op（卷由 testTask 独占）。 接线：defaultTask 主循环 syslog_drain 之后（default_task.c v1.3）。 文档：docs/架构设计/STM32F4-Base存储架构说明.md §5.5 补空闲兜底与边界； 本板无掉电检测硬件、不做掉电前强制 flush、勿当掉电保护——口径同步落 注释与文档（sys_log_mcu.c 两处旧「暂不做」注释随实现改口）。 测试：新主机单测 test/host/vol_idle_sync/（TC-VOLSYNC-001..012，19 断言 全过）；scripts/id_registry.json 建 TC-HOST-VOLSYNC 族（仿 ADCCAL 先例）； .pre-commit-config.yaml 加 vol-idle-sync-unit-test hook（只加自己条目）。 越界申报（①②③ 均 lead 批准，④ 为门禁连带必要）： ① App/task/default_task.c 单点接线（include + 1 调用 + 头修改记录）； ② docs/架构设计/STM32F4-Base存储架构说明.md §5.5； ③ .pre-commit-config.yaml 单 hook + scripts/id_registry.json 单族； ④ scripts/check_registration.py SIM_EXEMPT 加一行（vol_idle_sync.c 模拟器 侧豁免，registration-check GAP 所需；与批准③同类别但未列名，特此申报）。 体积增量（vs scripts/ram_baseline.tsv 2026-10-25 行）： Flash(Code+RO) 237140→237328（+188 B）、RW 1224→1232（+8 B）、ZI 0； 增量 = 3 个文件级 static + 一处 DBG_ERROR 调用点；栈/堆无变化。 gate: only mem-budget/mem-numbers pending lead ledger backfill 全量 pre-commit --all-files：40 项 Passed，仅 mem-numbers（D-7 体积档）与 mem-budget 两条红 = 台账数字待回填（增量如上，属 lead 单写者禁区）； 其余含 doc-links/id-check/registration/test-coverage/全部主机单测皆绿。 @build 0 错误 0 警告（Code=215932 RO=21396 RW=1232 ZI=131984）。 台架：空闲 sync 实机节奏（clean 零触点、脏态时长、无心跳扰动）属实际 测量采样类——本批跳过，留「待台架实测」。
App/log/ — 日志子系统
两类日志：持久化运行日志（
sys_log，落 NAND）与控制台日志（console_log，走串口）。 两者都遵循单写者模型，避免多任务交错输出。
文件一览
| 文件 | 作用 |
|---|---|
sys_log.h |
日志接口（平台无关）：定长 64B 记录写入 /log/run.log·selftest.log |
sys_log_mcu.c |
sys_log 的 MCU 端后端实现（NAND + FatFs） |
console_log.c/h |
控制台单写者日志：多任务日志经队列汇入唯一写者，避免串口输出交错 |
soe_rec.c/h |
SOE 记录纯编解码（B9）：64B 定长记录（CP56Time2a 时标 + 类型 + 元件号 + 单调序号 + 值 + sum8 撕裂校验），零 I/O 零 OS 依赖，主机单测覆盖 |
soe_store.c/h |
SOE 落盘胶水（B9）：/log/soe.log，protectTask 投递（零文件系统）→ defaultTask 排空落盘 |
关键机制
syslog（运行/自检记录）
- 唯一写者 = defaultTask；其它任务只投递，不直接写盘
- 单记录定长 64 B，循环写；待机页可显示记录
- 内核启动前的日志走无锁静态缓冲
s_preboot[8]暂存（因为内核启动前不能建队列）， 内核启动后由syslog_drain惰性创建真队列并排空 - ⚠️ 写盘必须校验
f_write返回的字节数（该 FatFs 移植在簇分配失败时返回FR_OK+ 短写， 不报错误码）；追加写必须FA_WRITE|FA_OPEN_APPEND（FA_OPEN_APPEND单独用不含写位）
console_log（控制台单写者）
- 多任务的生产者 → 单写者消费者，消除任务间日志行交错
- 设计详见
docs/子系统设计/控制台单写者日志设计说明.md
soe（SOE 事件顺序记录，B9）
- 记录 = 64 B 定长二进制（
soe_rec.h布局），落/log/soe.log； 与 run.log 分文件——run.log 是文本记录、有 UI/主机读取方，二进制 SOE 混入会破坏读取器；分文件保持"定长 64B + 条数=fsize/64 + 满删重建 + FTP 下载 + 主机解码"同一套先例 - 生产者 = protectTask（元件动作/返回、软压板投退、采样闭锁/恢复六类
边沿）：
soe_store_post()纯 RAM（取时标 + 组记录 + 队列/待发环）， 零 NAND I/O；⚠️ post 内禁DBG_*——会把 protectTask 静态最坏链 垫高一帧（实证 872→1192 B FAIL），丢弃留痕由 drain（defaultTask）差值上报 - 唯一写者 = defaultTask：挂
syslog_drain()尾部（继承其卷就绪门）， 50 ms 节拍 → SOE 落盘延迟 ≤50 ms；写盘纪律全套照 syslog（卷锁 try /FA_WRITE|FA_OPEN_APPEND/ 校验字节数 / 满删重建 / 失败留痕去重）， 绝不把名字/参数类错误码归入卷损坏触发集 - 时标口径：sys_clock 秒域时基 → CP56 ms 域 = 秒×1000（亚秒恒 0， 不造假）；墙钟未建 → IV 位如实置位；seq 仅上电生命周期内单调 （容量重建不重置，仅复位重置——主机解码按 boot 段分段断言）
- 主机侧：
test/host/soe/decode_soe.py解码 + 断言（校验和/seq 单调/ CP56↔epoch UTC 交叉）；⚠️ 交叉校验用calendar.timegm，不是本地时区的dt.timestamp()（+08 机差 28800 s，首跑实证坑）
相关文档
docs/子系统设计/控制台单写者日志设计说明.mddocs/子系统设计/运行与自检记录设计说明.md- FatFs 陷阱：
AGENTS.md「平台约束」