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步骤 3/4(IWDG V2/V4/V5 + 堆低水位 S11):
- V2 任务饿死 stall 后 ≤2.5s IWDG 复位;V4 关中断死循环 ~4.9s 稳定复位;
V5 30min 120×FTP 全 PASS、零 IWDG 复位。堆告警全程未触发(min_ever=4728B)。
- task_watchdog.c:stall 证据写盘会经 nand_ftl_wd_feed 喂狗 → 增 s_stall_evidenced
每次 stall 仅取一次证据,避免"取证据"本身阻止复位。
- default_task.c:堆低水位告警(HEAP_LOW_WATER_B=3072)。
步骤 5(GD5F 错误通道 S9):gd5f2gq5ue.c/.h + nand_ftl.c 错误码统一为 int32_t 并
全量检查返回值;套件回归 16/16 PASSED。
- test/run_all_suites.py:--forbidden 改为按套件覆盖(GD5F 用 "HardFault;assert")——
TC-GD5F-704 故意触发 [ERR] 回落轮询,统一默认值会误判 FAIL。
步骤 6(网络稳定性):7.1 正常路径 ✅(V5 证据);7.2 N-2 丢弃可观测性代码已具备、
49s 静默在 V5 未复现(降级低风险观察项);7.3 N-3 待 PC peer。
步骤 7(工程卫生):
- S5:新增 test-cppcheck 钩子(仅 warning,排除模拟器桩)。
- S4:新增 scripts/check_test_traceability.py(默认仅告警)。
- 待核实项 TEST_SUITE_SELECTED 实机核实 = 死代码(无使用点);RTC 套件实际正常执行,
真缺口 = 缺套件级汇总行 → sd2506_test_task.c 补 === RTC Tests: N/M PASSED === 并
修正 Phase 级汇总累计问题;test_config.h 补齐 RTC 并注释"当前无引用"。
验证:产品 @build 0/0;pre-commit --all-files 17/17 Passed;
run_all_suites.py --suites RTC → PASS。
文档:实机测试实施指南 / SD2506_Test_Guide / 待处理内容 / 测试与架构改进建议 同步。
Drivers/BSP/GD5F2GQ5UE/ — GD5F2GQ5UE SPI NAND 驱动 + FTL
256MB SPI NAND Flash 驱动,以及之上的 FTL(Flash 转换层,
nand_ftl.c)—— 提供逻辑块映射、坏块管理、磨损均衡。再上层是 dhara(坏块/磨损算法)与 FatFs。
文件一览
| 文件 | 作用 |
|---|---|
gd5f2gq5ue.c/h |
NAND 芯片底层驱动:读/写/擦除、页/块管理、ID 与状态查询 |
nand_ftl.c/h |
FTL 层:逻辑地址 → 物理地址映射、坏块表、磨损均衡 |
硬件接口
- SPI1:PE0 CS / PB3 SCK / PB4 MISO / PB5 MOSI / PB8 WP / PE1 HOLD
三层存储栈
FatFs(文件系统)
↓
dhara(坏块管理 + 磨损均衡算法,Lib/dhara/)
↓
nand_ftl.c(本目录,FTL 适配)
↓
gd5f2gq5ue.c(本目录,芯片驱动)
↓
GD5F2GQ5UE 芯片
⚠️ 改本驱动前必读陷阱
| 陷阱 | 说明 |
|---|---|
| FatFs 打开模式 | FA_OPEN_APPEND(0x30) 不含 FA_WRITE(0x02)——追加写必须 FA_WRITE|FA_OPEN_APPEND,否则 f_write 恒返 FR_DENIED(7) |
| FatFs 文件名 | 严格 8.3 短名、不得以点开头(.fschk 会 FR_INVALID_NAME,纯 RAM 判定不碰盘);自愈逻辑严禁把名字类错误归入"卷损坏"触发集 |
f_write 簇分配失败返回 FR_OK + 短写 |
判失败必须校验写回字节数(无错误码) |
| 禁用 C 库堆分配 | MicroLIB 堆仅 512B,malloc 必返回 NULL;用 pvPortMalloc/vPortFree |
完整台账见
docs/问题记录/GD5F2GQ5UE_Trap_Records.md。
相关文档
- 存储架构:
docs/架构设计/STM32F4-Base存储架构说明.md - 测试指南:
docs/测试说明/GD5F2GQ5UE_Test_Guide.md - 容量恢复:
docs/测试说明/存储维护与容量恢复.md