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STM32F4-Base/App/log
wandering1 720f841494 fix(storage): dhara 移植层 is_free 整页精度 + HAL 越界守卫;日志读写批量化
登记簿 N-21(报告 N-12/N-13)与 N-24(报告 N-16)两项未闭环问题修复并销项。

N-12:dhara_nand_is_free() 旧实现只读页首 64 B 判全 0xFF,会把"页首
0xFF、后段有数据"的已编程页误判空闲,dhara 遂往已编程页再编程 = 位碰撞、
journal/map 指向垃圾且不报任何错。改整页扫描(栈上 64 B 分块、页首命中即
早退,故"已编程且页首有数据"的绝大多数页成本与旧实现同价)。

N-13:报告原建议经核对不成立——本仓裁剪版 dhara 既无 DHARA_NO_PAGE(哨兵
实为 DHARA_PAGE_NONE,journal.h:46)也无 DHARA_E_UNSUPPORTED(error.h 枚举
里没有,照抄直接编译失败),且 map.c 三处 dhara_journal_copy 调用点各自已
挡掉哨兵。真风险是移植层零上界校验:越界页号被芯片地址位截断成某个真实页
→ 静默读写错页。改为六个 HAL 入口统一几何上界守卫 + DHARA_E_CORRUPT_MAP。
错误码选择是刻意的:BAD_BLOCK 会让 journal.c:904 标坏无辜好块,RECOVER 会
让 map.c:275 启动回收;无错误通道的 is_free/is_bad/mark_bad 一律取保守值。

N-16 写侧:一次排空合并成"每文件一次 open/write/close"(≤8 条 = 512 B
静态缓冲)。掉电语义不变——批次仍在同一次 drain 调用内 close,而 close
回写目录项这个不同 LPN 会把 FTL 单页写回缓存逼出到 NAND;失败尾部回投
队列,条目不丢(旧实现 -2 卷忙会直接丢掉那一条)。容量轮转仍只在按条慢
路径做,批量路径发现装不下一批就返回 -3 退回。
N-16 读侧:s_read_raw() 加 8 条滑动读窗口 + 写者代数失效,API 与 UI 零改动。

验证:@build 0 错 0 警(Code 213,540 / ER_IROM1 232,280 B = 22.2%,
RW_IRAM1 75,232 B = 57.4%,ZI +1,640 B 全为静态缓冲、不吃任务栈);
@test PASS,且台架 journal 恢复点与修复前同轨——连续四次启动 sectors used
恒 14,094、Map head 每轮 +128 单调推进、epoch 稳定 3 → 整页 is_free 未
改变恢复语义、无双编程、无回退;stack_report 9 个任务全 PASS(defaultTask
静态最坏链 3,024 B / 余 40%,实测峰值 2,164 B / 余 57%)。

新增主机侧移植层单测 test/host/nand_port/(第 16 个 -unit-test 钩子):
RAM 假芯片 + 真实 dhara map/journal 源,149 断言,含"旧算法只看页首 64 B"
对照用例(将来有人把 is_free 改回去会立刻红)与 dhara 级 resume 双编程计数
为 0 的场景。L0.5 由 15 runner / 955 断言 → 16 runner / 1,104 断言。

文档:存储架构说明 §5.3 加移植层两条硬约束;运行与自检记录设计说明
§4.4/§4.5 写批量化与读窗口;GD5F Trap Records 新增 Trap 07(含三条遗留
代价与一条待办编译期断言);登记簿 N-21/N-24 删行销项并同步 README
§1/§2.0/§2.1、排期详述 C3、报告 §0.1/§0.2/§0.4/§4.x/§7 与去处表;
钩子计数 33→34、主机侧单测 15→16 全库同步。
2026-10-15 12:34:39 +08:00
..

App/log/ — 日志子系统

两类日志:持久化运行日志(sys_log,落 NAND)与控制台日志(console_log,走串口)。 两者都遵循单写者模型,避免多任务交错输出。

文件一览

文件 作用
sys_log.h 日志接口(平台无关):定长 64B 记录写入 /log/run.log·selftest.log
sys_log_mcu.c sys_log 的 MCU 端后端实现(NAND + FatFs)
console_log.c/h 控制台单写者日志:多任务日志经队列汇入唯一写者,避免串口输出交错
soe_rec.c/h SOE 记录纯编解码(B9):64B 定长记录(CP56Time2a 时标 + 类型 + 元件号 + 单调序号 + 值 + sum8 撕裂校验),零 I/O 零 OS 依赖,主机单测覆盖
soe_store.c/h SOE 落盘胶水(B9):/log/soe.log,protectTask 投递(零文件系统)→ defaultTask 排空落盘

关键机制

syslog(运行/自检记录)

  • 唯一写者 = defaultTask;其它任务只投递,不直接写盘
  • 单记录定长 64 B,循环写;待机页可显示记录
  • 内核启动前的日志走无锁静态缓冲 s_preboot[8] 暂存(因为内核启动前不能建队列), 内核启动后由 syslog_drain 惰性创建真队列并排空
  • ⚠️ 写盘必须校验 f_write 返回的字节数(该 FatFs 移植在簇分配失败时返回 FR_OK + 短写, 不报错误码);追加写必须 FA_WRITE|FA_OPEN_APPEND(FA_OPEN_APPEND 单独用不含写位)

console_log(控制台单写者)

  • 多任务的生产者 → 单写者消费者,消除任务间日志行交错
  • 设计详见 docs/子系统设计/控制台单写者日志设计说明.md

soe(SOE 事件顺序记录,B9)

  • 记录 = 64 B 定长二进制(soe_rec.h 布局),落 /log/soe.log; 与 run.log 分文件——run.log 是文本记录、有 UI/主机读取方,二进制 SOE 混入会破坏读取器;分文件保持"定长 64B + 条数=fsize/64 + 满删重建 + FTP 下载 + 主机解码"同一套先例
  • 生产者 = protectTask(元件动作/返回、软压板投退、采样闭锁/恢复六类 边沿):soe_store_post() 纯 RAM(取时标 + 组记录 + 队列/待发环), 零 NAND I/O;⚠️ post 内禁 DBG_*——会把 protectTask 静态最坏链 垫高一帧(实证 872→1192 B FAIL),丢弃留痕由 drain(defaultTask)差值上报
  • 唯一写者 = defaultTask:挂 syslog_drain() 尾部(继承其卷就绪门), 50 ms 节拍 → SOE 落盘延迟 ≤50 ms;写盘纪律全套照 syslog(卷锁 try / FA_WRITE|FA_OPEN_APPEND / 校验字节数 / 满删重建 / 失败留痕去重), 绝不把名字/参数类错误码归入卷损坏触发集
  • 时标口径:sys_clock 秒域时基 → CP56 ms 域 = 秒×1000(亚秒恒 0, 不造假);墙钟未建 → IV 位如实置位;seq 仅上电生命周期内单调 (容量重建不重置,仅复位重置——主机解码按 boot 段分段断言)
  • 主机侧:test/host/soe/decode_soe.py 解码 + 断言(校验和/seq 单调/ CP56↔epoch UTC 交叉);⚠️ 交叉校验用 calendar.timegm,不是本地时区的 dt.timestamp()(+08 机差 28800 s,首跑实证坑)

相关文档

  • docs/子系统设计/控制台单写者日志设计说明.md
  • docs/子系统设计/运行与自检记录设计说明.md
  • FatFs 陷阱:AGENTS.md「平台约束」